搪瓷反應釜是(shi)將(jiang)含高二(er)氧化硅的玻(bo)璃，襯在鋼(gang)制容器(qi)的內表面(mian)，經高溫灼燒而牢固地密著于金(jin)屬表面(mian)上成為復合材料(liao)制品。所(suo)以，是(shi)一(yi)種優良的耐腐蝕設(she)備。

搪瓷反應(ying)釜(fu)技術規范：

1、耐酸性：

對各種有(you)機(ji)(ji)酸、無機(ji)(ji)酸、有(you)機(ji)(ji)溶劑均有(you)較(jiao)好的抗蝕(shi)性。如將我廠(chang)生產的搪玻璃試樣(yang)置于20%HCI溶液中煮沸48h，腐蝕(shi)速率為0.9lg/m2.d（優等品指標為1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪玻(bo)璃對(dui)堿(jian)性溶(rong)液抗蝕(shi)性較酸溶(rong)液差。但將我廠搪玻(bo)璃試樣置于(yu)1N氫氧化鈉溶(rong)液腐(fu)蝕(shi)，試驗溫度80℃時間(jian)48h。腐(fu)蝕(shi)速率為(wei)6.76g/m2.d（優等品(pin)指標為(wei)7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

淄博搪瓷反應釜加熱和冷卻時，應緩慢進行。我廠制造的搪玻璃反應釜使用溫度為0－200℃，耐溫急變(bian)性≥200℃。

4、瓷層厚度：

搪瓷反應(ying)釜(fu)的(de)瓷層厚度(du)0.8-2.0mm，搪玻璃反應(ying)釜(fu)附件的(de)瓷層厚度(du)0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪(tang)玻(bo)璃具有良(liang)好的(de)絕緣性，當搪(tang)玻(bo)璃在規定厚度內(nei)用20KV高頻電火花(hua)檢(jian)查(cha)瓷(ci)層(ceng)時，高頻電火花(hua)不(bu)能(neng)擊穿(chuan)瓷(ci)層(ceng)。

6、耐沖擊性：

搪玻璃(li)反應釜的玻璃(li)層內(nei)應力越小，彈性(xing)越好，硬度(du)越大，抗(kang)彎抗(kang)壓(ya)強度(du)越高，則(ze)耐(nai)沖擊(ji)就越好。我廠之玻璃(li)層在規(gui)定厚度(du)內(nei)，用(yong)直徑30mm，重量112g鋼(gang)球沖擊(ji)時，其(qi)沖擊(ji)功為(wei)282×10-3J（優等品指標為(wei)260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用(yong)領域(yu)：

搪(tang)瓷反應釜適用于石油化工、橡膠(jiao)、農(nong)藥、染料、醫藥等行業，用以(yi)完成磺化、硝化、氫(qing)化、烴化、聚合、縮合等工藝過程(cheng)。

搪瓷反(fan)應釜(fu)工作溫(wen)度較高，通常(chang)化學反(fan)應需(xu)要在一(yi)定的溫(wen)度條件下才(cai)能進行，所以反(fan)應釜(fu)既(ji)承(cheng)受壓力(li)又承(cheng)受溫(wen)度。獲得高溫(wen)的方(fang)法通常(chang)有以下幾種：

1、水加溫

要(yao)求溫(wen)度不高(gao)時可采(cai)用，其加熱系統有(you)敞開式和密閉式兩種。敞開式較簡單，它由循環(huan)泵、水槽、管(guan)(guan)道及(ji)控制閥門的調節器所(suo)組成(cheng)，當(dang)采(cai)用高(gao)壓(ya)水時，設(she)備(bei)機(ji)械強(qiang)度要(yao)求高(gao)，反應釜外表面焊上蛇(she)(she)管(guan)(guan)，蛇(she)(she)管(guan)(guan)與釜壁有(you)間隙，使熱阻(zu)增加，傳熱效果降低。

2、蒸汽加熱

加熱溫(wen)度在100℃以下時，可(ke)用一個(ge)大氣(qi)壓以下的蒸(zheng)汽(qi)(qi)來加熱；100~180℃范(fan)圍內，用飽和(he)蒸(zheng)汽(qi)(qi)；當溫(wen)度更高(gao)時，可(ke)采用高(gao)壓過熱蒸(zheng)汽(qi)(qi)。

3、用其它介質加熱

若(ruo)工藝要求必須在高(gao)溫(wen)下操作或欲避(bi)免采用高(gao)壓的加熱系統(tong)時(shi)，可用其它(ta)介(jie)質來代(dai)替水和蒸汽，如(ru)礦物油（275～300℃）、聯苯醚混合劑(ji)（沸(fei)點258℃）、熔鹽(yan)（140～540℃）、液(ye)態鉛（熔點327℃）等。

4、電加熱

將(jiang)電(dian)阻絲纏繞在反應(ying)釜筒(tong)體的(de)絕緣層上，或(huo)安裝在離反應(ying)釜若(ruo)干距離的(de)特設絕緣體上，因(yin)此，在電(dian)阻絲與反應(ying)釜體之間形成了不大的(de)空間間隙。

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