山東(dong)搪聯化(hua)工設備有(you)限(xian)公司(si)
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工廠地(di)址:淄博市淄川區董瓦村
搪玻璃反應釜是(shi)將含(han)高二氧化硅的玻璃,襯(chen)在鋼制容器的內表面,經高溫(wen)灼燒而牢固地密著(zhu)于金(jin)屬(shu)表面上成(cheng)為復合材料(liao)制品。所(suo)以,是(shi)一種優良的耐(nai)腐蝕(shi)設備。
搪玻璃反應釜技術規范:
1、耐酸性:
對(dui)各(ge)種有(you)機(ji)(ji)酸(suan)、無機(ji)(ji)酸(suan)、有(you)機(ji)(ji)溶劑均有(you)較好的(de)抗蝕(shi)性。如將我廠生產的(de)搪玻(bo)璃試樣置(zhi)于20%HCI溶液(ye)中煮沸(fei)48h,腐蝕(shi)速率(lv)為0.9lg/m2.d(優等品指標為1.0g/m2.d)。
2、耐堿性:
搪玻(bo)璃(li)對(dui)堿性溶液(ye)抗蝕性較(jiao)酸溶液(ye)差(cha)。但將我廠搪玻(bo)璃(li)試樣置(zhi)于(yu)1N氫氧(yang)化鈉溶液(ye)腐蝕,試驗溫度80℃時間48h。腐蝕速率為6.76g/m2.d(優等品指標為7.0g/m2.d)。
3、操作溫度:
搪玻(bo)璃反(fan)應釜加熱和冷卻時,應緩慢進行。我廠制(zhi)造的搪玻(bo)璃反(fan)應釜使用溫度為(wei)0-200℃,耐溫急變性≥200℃。
4、瓷層厚度:
淄博搪玻璃反應釜的瓷(ci)層(ceng)厚(hou)度0.8-2.0mm,搪(tang)玻璃反應釜附件的瓷(ci)層(ceng)厚(hou)度0.6-1.8mm。
5、耐壓電:
搪玻璃(li)具有良好的絕緣(yuan)性,當搪玻璃(li)在規定(ding)厚度內用20KV高(gao)頻電火花檢查瓷層時(shi),高(gao)頻電火花不能擊穿瓷層。
6、耐沖擊性:
搪(tang)玻璃反應釜的(de)玻璃層內(nei)應力越(yue)小,彈性越(yue)好,硬度(du)越(yue)大,抗彎抗壓強度(du)越(yue)高,則耐沖(chong)擊(ji)(ji)就越(yue)好。我廠之玻璃層在(zai)規定厚(hou)度(du)內(nei),用(yong)直徑30mm,重量112g鋼球(qiu)沖(chong)擊(ji)(ji)時,其沖(chong)擊(ji)(ji)功(gong)為(wei)282×10-3J(優(you)等品指標為(wei)260×10-3J)。
搪瓷反應釜應用領域:
搪瓷(ci)反應釜適用(yong)于石油(you)化(hua)(hua)工(gong)(gong)、橡(xiang)膠、農藥、染(ran)料、醫藥等行業,用(yong)以完成(cheng)磺化(hua)(hua)、硝化(hua)(hua)、氫化(hua)(hua)、烴化(hua)(hua)、聚合、縮合等工(gong)(gong)藝過程。
搪(tang)瓷反(fan)應(ying)(ying)釜(fu)工作溫(wen)度較高,通常(chang)化學反(fan)應(ying)(ying)需要在(zai)一定的(de)溫(wen)度條件下才能(neng)進行,所(suo)以反(fan)應(ying)(ying)釜(fu)既承(cheng)受壓力又承(cheng)受溫(wen)度。獲得(de)高溫(wen)的(de)方(fang)法通常(chang)有以下幾種:
1、水加溫
要求(qiu)溫度(du)不高時(shi)可采用(yong),其(qi)加熱系(xi)統有敞開式(shi)和密閉式(shi)兩(liang)種(zhong)。敞開式(shi)較簡(jian)單,它(ta)由循環(huan)泵、水槽、管(guan)道(dao)及控制閥門的調(diao)節器所組成,當采用(yong)高壓(ya)水時(shi),設備(bei)機械強度(du)要求(qiu)高,反(fan)應釜(fu)外表面焊上蛇(she)管(guan),蛇(she)管(guan)與釜(fu)壁有間隙,使(shi)熱阻增(zeng)加,傳熱效(xiao)果(guo)降低。
2、蒸汽加熱
加熱(re)溫度在100℃以下時,可用一個大氣壓以下的蒸(zheng)汽來(lai)加熱(re);100~180℃范圍內,用飽(bao)和蒸(zheng)汽;當溫度更(geng)高時,可采用高壓過熱(re)蒸(zheng)汽。
3、用其它介質加熱
若工藝(yi)要求必須在高溫(wen)下操作或(huo)欲避(bi)免采用(yong)高壓(ya)的加(jia)熱系統時,可(ke)用(yong)其它介質來代替水和(he)蒸汽,如礦物油(275~300℃)、聯苯醚(mi)混合劑(沸點258℃)、熔鹽(140~540℃)、液態鉛(熔點327℃)等(deng)。
4、電加熱
將(jiang)電(dian)阻絲(si)纏繞在(zai)反應釜筒體的(de)(de)(de)絕緣層上,或安裝在(zai)離反應釜若干距離的(de)(de)(de)特設絕緣體上,因此,在(zai)電(dian)阻絲(si)與反應釜體之(zhi)間(jian)(jian)形成了(le)不大的(de)(de)(de)空間(jian)(jian)間(jian)(jian)隙(xi)。
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