搪玻璃反應釜是將含(han)高(gao)二氧化硅(gui)的玻(bo)璃，襯在鋼制(zhi)(zhi)容器(qi)的內(nei)表面，經高(gao)溫灼燒而(er)牢(lao)固地密(mi)著(zhu)于金(jin)屬表面上成(cheng)為復合(he)材料制(zhi)(zhi)品。所以(yi)，是一(yi)種(zhong)優良的耐腐蝕設備。

搪玻璃(li)反應釜技術規(gui)范：

1、耐酸性：

對各種有(you)機(ji)酸、無機(ji)酸、有(you)機(ji)溶(rong)劑均(jun)有(you)較好的抗蝕(shi)(shi)性。如(ru)將(jiang)我廠生產的搪玻璃(li)試樣(yang)置于20%HCI溶(rong)液中(zhong)煮沸48h，腐蝕(shi)(shi)速率(lv)為(wei)0.9lg/m2.d（優等品指標為(wei)1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪(tang)(tang)玻璃對堿性(xing)溶(rong)液抗(kang)蝕(shi)性(xing)較(jiao)酸(suan)溶(rong)液差。但將(jiang)我廠搪(tang)(tang)玻璃試樣置于1N氫氧化(hua)鈉溶(rong)液腐蝕(shi)，試驗溫(wen)度80℃時(shi)間48h。腐蝕(shi)速率為6.76g/m2.d（優等品指標為7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

搪(tang)玻璃(li)反應(ying)釜加熱和冷(leng)卻時，應(ying)緩(huan)慢進(jin)行。我廠制造的搪(tang)玻璃(li)反應(ying)釜使用溫度為(wei)0－200℃，耐溫急變(bian)性≥200℃。

4、瓷層厚度：

淄博搪玻璃反應釜的(de)(de)瓷層厚度0.8-2.0mm，搪玻璃(li)反應釜(fu)附件的(de)(de)瓷層厚度0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪(tang)玻璃(li)具有良好的絕緣性，當搪(tang)玻璃(li)在規定厚度(du)內用20KV高頻電火(huo)花檢查瓷層時，高頻電火(huo)花不能擊穿瓷層。

6、耐沖擊性：

搪玻璃反應(ying)釜的玻璃層(ceng)內應(ying)力越小，彈性(xing)越好(hao)，硬度(du)(du)越大，抗彎抗壓強度(du)(du)越高，則耐沖(chong)擊就越好(hao)。我廠之玻璃層(ceng)在(zai)規定(ding)厚度(du)(du)內，用直徑30mm，重(zhong)量112g鋼球沖(chong)擊時(shi)，其沖(chong)擊功(gong)為282×10-3J（優等品指標為260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用領域：

搪瓷反應(ying)釜(fu)適用(yong)于(yu)石油(you)化(hua)(hua)工、橡膠、農藥、染料、醫藥等行業，用(yong)以完(wan)成(cheng)磺化(hua)(hua)、硝(xiao)化(hua)(hua)、氫(qing)化(hua)(hua)、烴化(hua)(hua)、聚合、縮合等工藝過程。

搪瓷反應(ying)釜工(gong)作溫(wen)度較高，通(tong)(tong)常化(hua)學反應(ying)需要在一(yi)定的溫(wen)度條件下才能進行(xing)，所以反應(ying)釜既承受(shou)壓力又承受(shou)溫(wen)度。獲得高溫(wen)的方(fang)法通(tong)(tong)常有以下幾(ji)種：

1、水加溫

要(yao)求溫度不高時可采用(yong)，其(qi)加熱(re)(re)系統有敞開(kai)式和密(mi)閉(bi)式兩種(zhong)。敞開(kai)式較簡單，它由循環泵、水槽、管(guan)道及控制閥門的調節器所組成，當采用(yong)高壓水時，設備機械強度要(yao)求高，反應釜外表面焊上蛇(she)管(guan)，蛇(she)管(guan)與釜壁有間隙，使熱(re)(re)阻增加，傳(chuan)熱(re)(re)效果(guo)降低。

2、蒸汽加熱

加熱溫度在100℃以下時，可用(yong)一個大氣壓以下的蒸汽來加熱；100~180℃范圍內(nei)，用(yong)飽和蒸汽；當(dang)溫度更高時，可采用(yong)高壓過熱蒸汽。

3、用其它介質加熱

若工藝要求必須在高溫(wen)下操作(zuo)或(huo)欲避免采用高壓的加熱系統時，可(ke)用其它介質來代替水和蒸(zheng)汽，如礦物油(you)（275～300℃）、聯苯醚混合劑（沸點258℃）、熔鹽（140～540℃）、液態鉛（熔點327℃）等。

4、電加熱

將電阻絲(si)纏繞在反應釜筒體的(de)絕緣層上，或安(an)裝(zhuang)在離(li)反應釜若干距離(li)的(de)特設(she)絕緣體上，因此，在電阻絲(si)與反應釜體之(zhi)間形成了(le)不大的(de)空(kong)間間隙。

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