山東(dong)搪(tang)聯(lian)化工設備(bei)有(you)限公(gong)司
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搪瓷反應釜是將含高二(er)氧化硅的玻璃,襯在鋼制容器的內表(biao)面,經高溫灼(zhuo)燒而牢固地密著于金(jin)屬表(biao)面上成為(wei)復合材料制品。所(suo)以,是一種優良的耐腐蝕設備。
搪瓷反應釜技術規范:
1、耐酸性:
對各種有(you)機酸、無機酸、有(you)機溶劑均(jun)有(you)較(jiao)好(hao)的抗蝕性。如將我廠生產的搪玻璃試(shi)樣置于20%HCI溶液中煮沸(fei)48h,腐蝕速率為(wei)0.9lg/m2.d(優等(deng)品(pin)指標(biao)為(wei)1.0g/m2.d)。
2、耐堿性:
搪玻(bo)璃對堿性(xing)溶(rong)液抗蝕(shi)性(xing)較(jiao)酸溶(rong)液差。但將我廠搪玻(bo)璃試(shi)樣置于(yu)1N氫氧化(hua)鈉溶(rong)液腐(fu)蝕(shi),試(shi)驗溫度(du)80℃時間48h。腐(fu)蝕(shi)速率為(wei)6.76g/m2.d(優(you)等品指標為(wei)7.0g/m2.d)。
3、操作溫度:
淄博搪瓷反應釜加熱和冷卻時,應緩慢進行。我廠制造的搪玻璃反應釜使用溫(wen)度為(wei)0-200℃,耐溫(wen)急變性(xing)≥200℃。
4、瓷層厚度:
搪瓷(ci)反(fan)應釜的瓷(ci)層(ceng)厚度(du)0.8-2.0mm,搪玻璃反(fan)應釜附件的瓷(ci)層(ceng)厚度(du)0.6-1.8mm。
5、耐壓電:
搪玻(bo)璃具(ju)有良好的絕緣(yuan)性,當(dang)搪玻(bo)璃在(zai)規定厚度內用20KV高頻電火花(hua)檢查瓷層時,高頻電火花(hua)不能擊穿(chuan)瓷層。
6、耐沖擊性:
搪玻璃(li)反應釜的玻璃(li)層(ceng)內(nei)應力越(yue)小,彈性越(yue)好(hao),硬(ying)度(du)越(yue)大,抗(kang)彎抗(kang)壓強度(du)越(yue)高,則耐沖(chong)擊就越(yue)好(hao)。我廠之玻璃(li)層(ceng)在規定厚(hou)度(du)內(nei),用直徑30mm,重(zhong)量112g鋼球(qiu)沖(chong)擊時,其沖(chong)擊功為(wei)282×10-3J(優等品指(zhi)標為(wei)260×10-3J)。
搪瓷反應(ying)釜應(ying)用領域(yu):
搪瓷(ci)反應釜適用(yong)于(yu)石油化(hua)(hua)工、橡膠、農藥、染料、醫藥等行業,用(yong)以完(wan)成磺化(hua)(hua)、硝化(hua)(hua)、氫(qing)化(hua)(hua)、烴化(hua)(hua)、聚合、縮合等工藝過程。
搪瓷反(fan)應(ying)釜工作溫(wen)度(du)較高(gao),通常化學反(fan)應(ying)需要在一定(ding)的溫(wen)度(du)條(tiao)件下才能進行,所以反(fan)應(ying)釜既承(cheng)受壓力(li)又承(cheng)受溫(wen)度(du)。獲得高(gao)溫(wen)的方法通常有以下幾(ji)種:
1、水加溫
要(yao)求溫度不高(gao)時可采用(yong),其加熱(re)系(xi)統有敞開(kai)式和(he)密(mi)閉(bi)式兩種(zhong)。敞開(kai)式較(jiao)簡(jian)單,它(ta)由循環泵(beng)、水(shui)(shui)槽、管(guan)道及控制閥門的調節器所組成(cheng),當(dang)采用(yong)高(gao)壓水(shui)(shui)時,設備機械(xie)強度要(yao)求高(gao),反應釜(fu)外表面焊(han)上蛇(she)管(guan),蛇(she)管(guan)與釜(fu)壁有間隙,使熱(re)阻增加,傳熱(re)效(xiao)果降低。
2、蒸汽加熱
加(jia)熱(re)溫度在(zai)100℃以(yi)下時,可用(yong)一個大氣壓以(yi)下的蒸(zheng)汽來加(jia)熱(re);100~180℃范圍內,用(yong)飽和(he)蒸(zheng)汽;當溫度更高時,可采用(yong)高壓過(guo)熱(re)蒸(zheng)汽。
3、用其它介質加熱
若工(gong)藝要求必須在高溫(wen)下(xia)操(cao)作或欲避免采用高壓的加熱系統(tong)時(shi),可用其它介質來代替水和蒸汽,如礦(kuang)物油(275~300℃)、聯(lian)苯醚(mi)混合劑(沸點258℃)、熔鹽(140~540℃)、液態鉛(熔點327℃)等。
4、電加熱
將電阻絲纏繞(rao)在(zai)反應釜筒體(ti)的絕緣層(ceng)上,或安裝在(zai)離反應釜若干(gan)距離的特設絕緣體(ti)上,因此,在(zai)電阻絲與反應釜體(ti)之間形(xing)成了(le)不大的空間間隙。
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