搪瓷反應罐是將含(han)高二氧化硅的玻璃，襯在鋼制(zhi)容(rong)器的內表面(mian)，經高溫灼燒而牢(lao)固地密著于金屬表面(mian)上(shang)成為復合材(cai)料制(zhi)品。所(suo)以，是一種優良的耐腐蝕設備。

搪瓷(ci)反應罐技術規范(fan)：

1、耐酸性：

對各種有(you)機(ji)酸、無機(ji)酸、有(you)機(ji)溶劑均有(you)較(jiao)好的抗蝕(shi)性。如將(jiang)我廠生產(chan)的搪玻璃試樣置(zhi)于20%HCI溶液中煮沸48h，腐蝕(shi)速率為0.9lg/m2.d（優(you)等品指標為1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪(tang)玻(bo)璃(li)(li)對堿性溶(rong)液抗蝕性較酸溶(rong)液差。但將(jiang)我廠搪(tang)玻(bo)璃(li)(li)試樣置于1N氫氧化鈉(na)溶(rong)液腐(fu)蝕，試驗(yan)溫度(du)80℃時間48h。腐(fu)蝕速率為6.76g/m2.d（優(you)等品指標為7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

淄博搪瓷反應罐加熱和冷卻時，應緩慢進行。我廠制造的搪玻璃反應釜使用溫(wen)度為0－200℃，耐溫(wen)急變性≥200℃。

4、瓷層厚度：

搪瓷反應罐的瓷層厚度(du)0.8-2.0mm，搪玻璃(li)反應釜附(fu)件的瓷層厚度(du)0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪玻(bo)璃具(ju)有良好的絕(jue)緣性，當搪玻(bo)璃在規定厚度內用20KV高頻(pin)電(dian)火(huo)花(hua)檢查瓷層(ceng)時，高頻(pin)電(dian)火(huo)花(hua)不能擊穿(chuan)瓷層(ceng)。

6、耐沖擊性：

搪瓷反應罐的玻(bo)璃(li)層內(nei)(nei)應力越小，彈(dan)性越好(hao)，硬度(du)(du)越大，抗(kang)彎抗(kang)壓強度(du)(du)越高，則耐沖擊(ji)(ji)就越好(hao)。我廠之(zhi)玻(bo)璃(li)層在規(gui)定厚度(du)(du)內(nei)(nei)，用直徑30mm，重量112g鋼球沖擊(ji)(ji)時，其沖擊(ji)(ji)功(gong)為(wei)282×10-3J（優等品指(zhi)標為(wei)260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用領域：

搪瓷反應(ying)釜(fu)適用于石油化(hua)(hua)工(gong)、橡膠、農藥、染料(liao)、醫藥等行(xing)業，用以完成磺化(hua)(hua)、硝化(hua)(hua)、氫化(hua)(hua)、烴化(hua)(hua)、聚合、縮合等工(gong)藝過程。

搪瓷反(fan)應(ying)釜(fu)工作溫(wen)(wen)度(du)較(jiao)高(gao)，通常化學反(fan)應(ying)需要(yao)在(zai)一定的(de)溫(wen)(wen)度(du)條件下才(cai)能(neng)進行，所(suo)以(yi)反(fan)應(ying)釜(fu)既承受壓力又承受溫(wen)(wen)度(du)。獲得高(gao)溫(wen)(wen)的(de)方法通常有以(yi)下幾種：

1、水加溫

要求溫度不高(gao)(gao)時(shi)可采用(yong)，其加熱系統(tong)有敞開式和密閉(bi)式兩(liang)種(zhong)。敞開式較簡單，它由循(xun)環泵(beng)、水槽、管道及控制閥(fa)門的(de)調節器所組成，當采用(yong)高(gao)(gao)壓水時(shi)，設備機(ji)械強(qiang)度要求高(gao)(gao)，反應(ying)釜外表面焊(han)上蛇管，蛇管與釜壁有間隙，使熱阻增加，傳熱效(xiao)果(guo)降低。

2、蒸汽加熱

加熱(re)溫度(du)在100℃以下時，可用(yong)(yong)一(yi)個(ge)大(da)氣壓以下的蒸汽來加熱(re)；100~180℃范圍內，用(yong)(yong)飽和蒸汽；當溫度(du)更高時，可采用(yong)(yong)高壓過熱(re)蒸汽。

3、用其它介質加熱

若工藝要求(qiu)必須在高(gao)溫下(xia)操作或欲(yu)避(bi)免采(cai)用高(gao)壓的加熱(re)系統時，可用其它介(jie)質(zhi)來代替(ti)水和蒸汽(qi)，如礦物油（275～300℃）、聯苯醚混合劑（沸(fei)點258℃）、熔鹽（140～540℃）、液態鉛（熔點327℃）等(deng)。

4、電加熱

將電(dian)阻絲纏繞在反應釜筒體的絕緣層上(shang)，或安裝在離反應釜若干距離的特(te)設(she)絕緣體上(shang)，因此，在電(dian)阻絲與反應釜體之間形成(cheng)了不(bu)大的空間間隙。

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