搪瓷反應罐是將含高(gao)二(er)氧化硅的(de)(de)玻璃(li)，襯在鋼制容(rong)器(qi)的(de)(de)內(nei)表面(mian)，經高(gao)溫灼燒而牢固地密著于金屬表面(mian)上成為復(fu)合材料制品。所以，是一種優(you)良的(de)(de)耐腐蝕設備。

搪瓷反應罐技術規(gui)范：

1、耐酸性：

對各種有(you)機酸、無機酸、有(you)機溶劑(ji)均(jun)有(you)較好的(de)抗蝕性(xing)。如(ru)將(jiang)我廠生產的(de)搪玻璃試樣(yang)置于20%HCI溶液中煮(zhu)沸48h，腐(fu)蝕速率為0.9lg/m2.d（優等(deng)品指(zhi)標為1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪玻璃對堿性溶(rong)液抗蝕(shi)性較酸溶(rong)液差。但將我廠搪玻璃試樣置于1N氫氧(yang)化鈉溶(rong)液腐(fu)(fu)蝕(shi)，試驗溫(wen)度80℃時間48h。腐(fu)(fu)蝕(shi)速率(lv)為6.76g/m2.d（優等品指標為7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

淄博搪瓷反應罐加熱和冷卻時，應緩慢進行。我廠制造的搪玻璃反應釜使(shi)用溫(wen)度為0－200℃，耐溫(wen)急變性≥200℃。

4、瓷層厚度：

搪瓷(ci)反應罐的瓷(ci)層(ceng)厚度0.8-2.0mm，搪玻(bo)璃(li)反應釜附件的瓷(ci)層(ceng)厚度0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪玻(bo)璃(li)具有良好的(de)絕緣性，當搪玻(bo)璃(li)在規(gui)定厚度內用(yong)20KV高頻電火(huo)花檢查瓷(ci)層(ceng)時，高頻電火(huo)花不能擊穿瓷(ci)層(ceng)。

6、耐沖擊性：

搪瓷反應罐的玻(bo)璃(li)層內應力(li)越(yue)小，彈性越(yue)好，硬度越(yue)大，抗彎抗壓強(qiang)度越(yue)高，則耐沖(chong)擊(ji)就越(yue)好。我廠之玻(bo)璃(li)層在規定厚度內，用直徑30mm，重(zhong)量112g鋼球沖(chong)擊(ji)時，其沖(chong)擊(ji)功為282×10-3J（優等(deng)品指標為260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用領域：

搪瓷反(fan)應釜適用于石(shi)油化(hua)工、橡(xiang)膠(jiao)、農藥、染(ran)料、醫(yi)藥等行(xing)業，用以完成磺化(hua)、硝化(hua)、氫化(hua)、烴化(hua)、聚合、縮合等工藝過程(cheng)。

搪瓷反(fan)應釜工作(zuo)溫(wen)度(du)(du)較高(gao)，通(tong)常化學反(fan)應需要在一(yi)定的(de)溫(wen)度(du)(du)條件下才能進行，所以反(fan)應釜既承受壓力又承受溫(wen)度(du)(du)。獲得高(gao)溫(wen)的(de)方法通(tong)常有(you)以下幾種：

1、水加溫

要求溫(wen)度不(bu)高(gao)(gao)(gao)時(shi)可采(cai)用，其加熱系統有(you)敞開式(shi)和(he)密閉式(shi)兩種。敞開式(shi)較簡單(dan)，它(ta)由循環(huan)泵、水(shui)槽、管(guan)(guan)道及控制閥門(men)的調節器(qi)所組成，當采(cai)用高(gao)(gao)(gao)壓水(shui)時(shi)，設備(bei)機械強度要求高(gao)(gao)(gao)，反應(ying)釜外表面焊上(shang)蛇管(guan)(guan)，蛇管(guan)(guan)與釜壁(bi)有(you)間(jian)隙(xi)，使熱阻增加，傳熱效(xiao)果降低。

2、蒸汽加熱

加熱(re)溫度在100℃以下時(shi)，可(ke)用一個大氣(qi)壓以下的蒸(zheng)(zheng)(zheng)汽(qi)來加熱(re)；100~180℃范(fan)圍內，用飽和蒸(zheng)(zheng)(zheng)汽(qi)；當(dang)溫度更高時(shi)，可(ke)采用高壓過熱(re)蒸(zheng)(zheng)(zheng)汽(qi)。

3、用其它介質加熱

若工藝要求必須在高(gao)溫下操(cao)作或(huo)欲避免采用高(gao)壓的加熱系統(tong)時，可用其它介質來代替(ti)水和蒸汽(qi)，如礦物油（275～300℃）、聯苯醚(mi)混(hun)合劑(ji)（沸點(dian)258℃）、熔(rong)鹽(yan)（140～540℃）、液(ye)態(tai)鉛（熔(rong)點(dian)327℃）等。

4、電加熱

將(jiang)電阻絲(si)纏繞在(zai)反應釜筒體(ti)的(de)絕緣層上，或安裝在(zai)離反應釜若(ruo)干距離的(de)特設絕緣體(ti)上，因此(ci)，在(zai)電阻絲(si)與反應釜體(ti)之(zhi)間形成了不大的(de)空(kong)間間隙。

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