搪瓷反應罐是(shi)將含高二(er)氧化硅的玻(bo)璃，襯在(zai)鋼(gang)制容(rong)器的內(nei)表面，經高溫灼燒(shao)而牢固地(di)密著于金屬(shu)表面上成為復合材料制品。所以，是(shi)一種優良的耐腐蝕(shi)設備(bei)。

搪瓷(ci)反(fan)應罐技術規范：

1、耐酸性：

對各(ge)種有(you)(you)機(ji)酸、無機(ji)酸、有(you)(you)機(ji)溶劑均有(you)(you)較好的(de)抗蝕(shi)性。如將我廠生產的(de)搪玻(bo)璃試樣置于(yu)20%HCI溶液(ye)中煮沸48h，腐蝕(shi)速率為0.9lg/m2.d（優等品指標為1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪玻璃對堿(jian)性(xing)溶液(ye)抗蝕(shi)性(xing)較酸(suan)溶液(ye)差(cha)。但將我廠搪玻璃試樣置(zhi)于1N氫氧(yang)化鈉(na)溶液(ye)腐蝕(shi)，試驗溫度(du)80℃時間48h。腐蝕(shi)速率為(wei)6.76g/m2.d（優等品指(zhi)標為(wei)7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

淄博搪瓷反應罐加熱和冷卻時，應緩慢進行。我廠制造的搪玻璃反應釜使(shi)用溫度為0－200℃，耐溫急(ji)變性≥200℃。

4、瓷層厚度：

搪瓷反應罐的(de)瓷層厚度0.8-2.0mm，搪玻璃(li)反應釜(fu)附(fu)件的(de)瓷層厚度0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪玻(bo)璃(li)具有良好的(de)絕緣性，當搪玻(bo)璃(li)在規定厚(hou)度內(nei)用(yong)20KV高頻電火花(hua)檢查瓷層時，高頻電火花(hua)不(bu)能擊穿瓷層。

6、耐沖擊性：

搪瓷反應罐的玻(bo)璃層內(nei)應力越小，彈性(xing)越好，硬(ying)度(du)越大，抗(kang)彎抗(kang)壓強度(du)越高，則耐沖擊(ji)就越好。我(wo)廠之玻(bo)璃層在規定厚度(du)內(nei)，用直徑30mm，重量112g鋼(gang)球沖擊(ji)時，其沖擊(ji)功(gong)為282×10-3J（優等品(pin)指標為260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用領域：

搪(tang)瓷反應釜適用(yong)于石油(you)化(hua)工(gong)、橡膠、農(nong)藥(yao)、染(ran)料、醫藥(yao)等行(xing)業(ye)，用(yong)以完成磺化(hua)、硝化(hua)、氫(qing)化(hua)、烴化(hua)、聚合(he)(he)、縮合(he)(he)等工(gong)藝過程(cheng)。

搪瓷反應(ying)(ying)釜工作(zuo)溫(wen)度(du)較高，通常化學反應(ying)(ying)需要在一(yi)定的(de)溫(wen)度(du)條件下(xia)才能(neng)進行，所以反應(ying)(ying)釜既承(cheng)受壓力又承(cheng)受溫(wen)度(du)。獲得高溫(wen)的(de)方法通常有(you)以下(xia)幾種(zhong)：

1、水加溫

要求溫度(du)不高時(shi)(shi)可(ke)采用(yong)(yong)，其加熱(re)系統有敞(chang)開(kai)式(shi)和密閉式(shi)兩(liang)種。敞(chang)開(kai)式(shi)較簡單(dan)，它由循環泵、水(shui)槽、管道及控制閥門(men)的(de)調節器所組成，當采用(yong)(yong)高壓水(shui)時(shi)(shi)，設(she)備機械強(qiang)度(du)要求高，反應(ying)釜外(wai)表面焊上(shang)蛇管，蛇管與釜壁有間(jian)隙，使熱(re)阻增加，傳(chuan)熱(re)效果降低。

2、蒸汽加熱

加熱(re)溫度在100℃以下時，可(ke)用一個大氣壓以下的蒸(zheng)汽來加熱(re)；100~180℃范圍內，用飽和蒸(zheng)汽；當(dang)溫度更高時，可(ke)采用高壓過(guo)熱(re)蒸(zheng)汽。

3、用其它介質加熱

若工(gong)藝要求必須在高溫下操作或欲避免采用(yong)高壓的加(jia)熱(re)系統時(shi)，可(ke)用(yong)其它介質來(lai)代替水和蒸汽，如礦物(wu)油（275～300℃）、聯苯(ben)醚混合劑(ji)（沸點(dian)258℃）、熔(rong)(rong)鹽（140～540℃）、液態鉛(qian)（熔(rong)(rong)點(dian)327℃）等。

4、電加熱

將電阻絲纏繞在(zai)反應釜筒(tong)體的(de)絕緣層上，或(huo)安裝在(zai)離反應釜若干距離的(de)特設絕緣體上，因此，在(zai)電阻絲與反應釜體之間形成了不大(da)的(de)空間間隙。

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