搪玻璃反應罐是將含(han)高二氧化硅的玻璃(li)，襯在鋼制(zhi)容器的內表(biao)面，經高溫灼燒而牢固地密著于金屬表(biao)面上成(cheng)為復合材料制(zhi)品。所以(yi)，是一(yi)種優良的耐腐蝕(shi)設備(bei)。

搪玻璃反應罐技術(shu)規范：

1、耐酸性：

對各種有(you)機(ji)(ji)酸(suan)、無機(ji)(ji)酸(suan)、有(you)機(ji)(ji)溶(rong)(rong)劑均(jun)有(you)較好的抗(kang)蝕性。如將我廠(chang)生產的搪(tang)玻璃試樣(yang)置于20%HCI溶(rong)(rong)液中煮沸48h，腐(fu)蝕速(su)率(lv)為0.9lg/m2.d（優等品指標為1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪(tang)玻(bo)璃對堿性溶(rong)液抗蝕性較酸溶(rong)液差。但將我廠搪(tang)玻(bo)璃試樣置(zhi)于(yu)1N氫氧化鈉溶(rong)液腐蝕，試驗(yan)溫度(du)80℃時間48h。腐蝕速率(lv)為6.76g/m2.d（優等(deng)品指(zhi)標為7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

搪玻璃反應罐加熱和冷卻時，應緩慢進行。我廠制造的搪玻璃反應釜使用溫度為0－200℃，耐溫急變性≥200℃。

4、瓷層厚度：

淄博搪玻璃反應罐的瓷層厚度(du)(du)0.8-2.0mm，搪(tang)玻璃反(fan)應釜附件(jian)的瓷層厚度(du)(du)0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪(tang)玻(bo)璃具(ju)有良好的絕緣性(xing)，當搪(tang)玻(bo)璃在規定(ding)厚度內用20KV高頻電(dian)火花檢查瓷層(ceng)時(shi)，高頻電(dian)火花不能擊穿瓷層(ceng)。

6、耐沖擊性：

搪(tang)玻璃反應罐的玻璃層(ceng)內應力越(yue)小，彈性(xing)越(yue)好，硬度(du)(du)越(yue)大，抗(kang)彎(wan)抗(kang)壓(ya)強度(du)(du)越(yue)高，則(ze)耐沖(chong)擊就越(yue)好。我廠之玻璃層(ceng)在(zai)規(gui)定厚度(du)(du)內，用直徑30mm，重(zhong)量112g鋼(gang)球沖(chong)擊時(shi)，其沖(chong)擊功(gong)為282×10-3J（優等品指標為260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用領域：

搪瓷反應釜適用(yong)于石(shi)油化工、橡膠、農藥、染料、醫(yi)藥等行業，用(yong)以完(wan)成(cheng)磺化、硝化、氫化、烴化、聚合、縮合等工藝過程。

搪瓷反(fan)應(ying)釜工作溫(wen)(wen)度(du)較高，通常化學反(fan)應(ying)需要在(zai)一定(ding)的溫(wen)(wen)度(du)條件下(xia)才(cai)能進(jin)行，所以反(fan)應(ying)釜既承受壓(ya)力又承受溫(wen)(wen)度(du)。獲得高溫(wen)(wen)的方法(fa)通常有以下(xia)幾種：

1、水加溫

要求溫度不高時可采(cai)用，其加(jia)熱系統(tong)有(you)敞開(kai)式和(he)密(mi)閉式兩(liang)種。敞開(kai)式較簡單，它由循環泵、水槽、管(guan)道及(ji)控制閥門的調節器所組成(cheng)，當采(cai)用高壓(ya)水時，設備(bei)機械強度要求高，反應釜(fu)外(wai)表面焊上蛇管(guan)，蛇管(guan)與釜(fu)壁有(you)間隙，使熱阻增加(jia)，傳熱效果降低。

2、蒸汽加熱

加(jia)熱(re)溫(wen)(wen)度(du)在100℃以(yi)下時(shi)，可用一個大氣壓以(yi)下的蒸汽(qi)(qi)來(lai)加(jia)熱(re)；100~180℃范圍內，用飽(bao)和蒸汽(qi)(qi)；當溫(wen)(wen)度(du)更高時(shi)，可采用高壓過熱(re)蒸汽(qi)(qi)。

3、用其它介質加熱

若工(gong)藝要求必(bi)須在高溫下(xia)操作(zuo)或(huo)欲避免采用(yong)高壓的加熱系統時，可用(yong)其它介質(zhi)來代替水和蒸汽(qi)，如(ru)礦物(wu)油（275～300℃）、聯苯醚混合劑（沸點258℃）、熔鹽（140～540℃）、液態鉛（熔點327℃）等。

4、電加熱

將電(dian)阻絲纏繞(rao)在反應(ying)釜筒體(ti)(ti)的絕緣層(ceng)上(shang)，或安裝(zhuang)在離(li)反應(ying)釜若干距(ju)離(li)的特設絕緣體(ti)(ti)上(shang)，因此(ci)，在電(dian)阻絲與反應(ying)釜體(ti)(ti)之(zhi)間形成(cheng)了不大的空(kong)間間隙。

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