搪玻璃反應釜是(shi)(shi)將含高二氧化硅的玻璃(li)，襯在(zai)鋼制(zhi)(zhi)容器的內(nei)表面，經高溫灼燒而牢固地密(mi)著于金(jin)屬(shu)表面上成為復(fu)合材料制(zhi)(zhi)品(pin)。所以(yi)，是(shi)(shi)一種(zhong)優良的耐腐蝕設備。

搪玻(bo)璃反應釜技術規范：

1、耐酸性：

對各種(zhong)有機(ji)(ji)酸(suan)、無機(ji)(ji)酸(suan)、有機(ji)(ji)溶劑(ji)均有較好的(de)抗(kang)蝕性。如(ru)將我廠生產的(de)搪玻璃(li)試(shi)樣置(zhi)于20%HCI溶液中煮沸48h，腐蝕速率為0.9lg/m2.d（優等品指標為1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪(tang)(tang)玻璃(li)對堿(jian)性溶(rong)液(ye)(ye)抗蝕性較(jiao)酸(suan)溶(rong)液(ye)(ye)差。但(dan)將我廠搪(tang)(tang)玻璃(li)試樣置于1N氫氧(yang)化鈉(na)溶(rong)液(ye)(ye)腐蝕，試驗溫度80℃時間48h。腐蝕速率為6.76g/m2.d（優等品指(zhi)標為7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

搪(tang)玻璃反(fan)應(ying)釜加熱和冷卻時，應(ying)緩(huan)慢進行。我廠(chang)制造的搪(tang)玻璃反(fan)應(ying)釜使用溫(wen)度為(wei)0－200℃，耐溫(wen)急變性≥200℃。

4、瓷層厚度：

淄博搪玻璃反應釜的瓷層厚度(du)0.8-2.0mm，搪玻(bo)璃反應(ying)釜附件的瓷層厚度(du)0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪玻(bo)(bo)璃具有(you)良好(hao)的絕緣性，當搪玻(bo)(bo)璃在規定厚(hou)度內用20KV高(gao)頻(pin)電火花(hua)檢查(cha)瓷層時，高(gao)頻(pin)電火花(hua)不(bu)能擊穿瓷層。

6、耐沖擊性：

搪玻璃(li)反應釜的玻璃(li)層內(nei)應力越(yue)(yue)小，彈性越(yue)(yue)好，硬度(du)越(yue)(yue)大，抗(kang)彎(wan)抗(kang)壓(ya)強(qiang)度(du)越(yue)(yue)高，則耐沖擊就越(yue)(yue)好。我(wo)廠之(zhi)玻璃(li)層在規定(ding)厚度(du)內(nei)，用直徑30mm，重(zhong)量112g鋼(gang)球(qiu)沖擊時，其沖擊功為(wei)282×10-3J（優等品指(zhi)標為(wei)260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用領域：

搪(tang)瓷反(fan)應釜適用于石油化(hua)工、橡膠、農藥、染(ran)料、醫藥等行(xing)業，用以(yi)完成磺化(hua)、硝化(hua)、氫化(hua)、烴(jing)化(hua)、聚合、縮合等工藝過(guo)程。

搪瓷反應釜工作溫度較高，通常化學(xue)反應需要(yao)在一(yi)定的溫度條件下才能進行，所(suo)以反應釜既承(cheng)受(shou)壓力又承(cheng)受(shou)溫度。獲(huo)得高溫的方(fang)法通常有以下幾種(zhong)：

1、水加溫

要求溫度不高時可采用，其(qi)加熱系(xi)統(tong)有(you)敞(chang)開式(shi)和密(mi)閉式(shi)兩種(zhong)。敞(chang)開式(shi)較簡(jian)單，它(ta)由循環泵、水槽、管(guan)道及(ji)控(kong)制(zhi)閥(fa)門的調節器所組(zu)成，當采用高壓(ya)水時，設備機械(xie)強度要求高，反應釜外表面焊上蛇(she)管(guan)，蛇(she)管(guan)與釜壁有(you)間(jian)隙，使熱阻增加，傳(chuan)熱效果降低。

2、蒸汽加熱

加(jia)熱(re)溫(wen)度在(zai)100℃以(yi)下時(shi)，可用一個大(da)氣壓(ya)以(yi)下的蒸汽來加(jia)熱(re)；100~180℃范圍內，用飽(bao)和蒸汽；當溫(wen)度更高(gao)時(shi)，可采(cai)用高(gao)壓(ya)過熱(re)蒸汽。

3、用其它介質加熱

若工藝要求必須在高(gao)溫下操作或欲避免采用高(gao)壓(ya)的加熱(re)系統時(shi)，可用其它(ta)介(jie)質(zhi)來(lai)代替水和(he)蒸汽，如礦物油(you)（275～300℃）、聯苯(ben)醚混合劑(ji)（沸(fei)點(dian)258℃）、熔(rong)鹽（140～540℃）、液(ye)態鉛（熔(rong)點(dian)327℃）等。

4、電加熱

將電(dian)阻絲(si)纏(chan)繞在反(fan)應釜(fu)筒體的(de)絕緣層(ceng)上，或安裝在離(li)反(fan)應釜(fu)若干距(ju)離(li)的(de)特設絕緣體上，因此，在電(dian)阻絲(si)與反(fan)應釜(fu)體之間形成了不大(da)的(de)空間間隙。

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