搪玻璃反應釜是將(jiang)含(han)高(gao)二氧化硅的玻璃，襯在(zai)鋼制(zhi)容(rong)器的內表面，經高(gao)溫灼燒(shao)而牢(lao)固(gu)地(di)密著于金屬表面上(shang)成為(wei)復合材料制(zhi)品。所以，是一種優良的耐腐蝕(shi)設備。

搪(tang)玻(bo)璃反(fan)應釜技術(shu)規范：

1、耐酸性：

對各種有機(ji)(ji)酸、無機(ji)(ji)酸、有機(ji)(ji)溶劑均有較好的(de)抗蝕性。如將我廠生產的(de)搪(tang)玻璃試樣(yang)置(zhi)于20%HCI溶液中煮沸48h，腐蝕速(su)率為0.9lg/m2.d（優等品指(zhi)標為1.0g/m2.d）。

2、耐堿性：

搪(tang)玻(bo)璃對(dui)堿性溶液抗(kang)蝕性較酸溶液差。但將我廠(chang)搪(tang)玻(bo)璃試(shi)樣置于1N氫氧化鈉溶液腐(fu)(fu)蝕，試(shi)驗溫度80℃時(shi)間48h。腐(fu)(fu)蝕速率為6.76g/m2.d（優等品指(zhi)標(biao)為7.0g/m2.d）。

3、操作溫度：

搪(tang)玻璃反應(ying)釜(fu)加熱和冷卻(que)時，應(ying)緩慢進行。我廠(chang)制造(zao)的搪(tang)玻璃反應(ying)釜(fu)使用溫(wen)度為0－200℃，耐溫(wen)急(ji)變(bian)性(xing)≥200℃。

4、瓷層厚度：

淄博搪玻璃反應釜的瓷(ci)(ci)層(ceng)厚度0.8-2.0mm，搪玻璃反應釜附件的瓷(ci)(ci)層(ceng)厚度0.6-1.8mm。

5、耐壓電：

搪玻璃(li)具有(you)良好的絕緣性，當搪玻璃(li)在(zai)規定厚度內用(yong)20KV高(gao)頻電(dian)火花(hua)(hua)檢查瓷層時，高(gao)頻電(dian)火花(hua)(hua)不能(neng)擊穿瓷層。

6、耐沖擊性：

搪玻璃(li)反應(ying)(ying)釜的玻璃(li)層內應(ying)(ying)力越小，彈(dan)性(xing)越好，硬(ying)度越大，抗彎抗壓強度越高，則耐(nai)沖(chong)擊就越好。我廠之玻璃(li)層在規定(ding)厚度內，用直徑30mm，重(zhong)量112g鋼球沖(chong)擊時，其沖(chong)擊功(gong)為(wei)282×10-3J（優等品指(zhi)標為(wei)260×10-3J）。

搪瓷反應釜應用領域：

搪(tang)瓷(ci)反應(ying)釜適用于(yu)石(shi)油化工(gong)、橡膠、農藥(yao)、染料、醫(yi)藥(yao)等(deng)(deng)行業，用以完成磺化、硝化、氫化、烴(jing)化、聚合、縮合等(deng)(deng)工(gong)藝過程。

搪瓷反應釜(fu)工作溫(wen)(wen)度(du)較高(gao)，通常化學反應需(xu)要(yao)在一(yi)定的溫(wen)(wen)度(du)條件下(xia)才能(neng)進行，所以(yi)反應釜(fu)既(ji)承(cheng)(cheng)受壓力又承(cheng)(cheng)受溫(wen)(wen)度(du)。獲(huo)得(de)高(gao)溫(wen)(wen)的方法通常有(you)以(yi)下(xia)幾(ji)種：

1、水加溫

要求溫度不高時可(ke)采用(yong)，其加熱系統(tong)有(you)(you)敞開(kai)式和密閉(bi)式兩種。敞開(kai)式較簡單，它由循環泵、水槽、管(guan)道及控制閥(fa)門的調節器所組成(cheng)，當采用(yong)高壓(ya)水時，設(she)備(bei)機(ji)械強度要求高，反(fan)應釜(fu)外表面焊上(shang)蛇管(guan)，蛇管(guan)與(yu)釜(fu)壁有(you)(you)間隙(xi)，使(shi)熱阻增(zeng)加，傳熱效果降低。

2、蒸汽加熱

加熱(re)溫度在100℃以(yi)下(xia)時，可用一(yi)個(ge)大氣壓以(yi)下(xia)的(de)蒸(zheng)汽來加熱(re)；100~180℃范圍內(nei)，用飽和蒸(zheng)汽；當溫度更高時，可采用高壓過熱(re)蒸(zheng)汽。

3、用其它介質加熱

若(ruo)工藝要求必須在高溫下操作或欲避免(mian)采(cai)用高壓的(de)加熱系統時，可用其它(ta)介質(zhi)來(lai)代替水和蒸汽，如礦(kuang)物油（275～300℃）、聯苯醚混合(he)劑（沸(fei)點(dian)258℃）、熔(rong)鹽（140～540℃）、液態鉛（熔(rong)點(dian)327℃）等。

4、電加熱

將電(dian)阻(zu)絲(si)纏繞在反應釜(fu)筒體的(de)絕緣層上，或安裝在離(li)反應釜(fu)若干距離(li)的(de)特設(she)絕緣體上，因此(ci)，在電(dian)阻(zu)絲(si)與反應釜(fu)體之間形成了不大(da)的(de)空間間隙。

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